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紫外创业看长治 第一届紫外LED创新创业大赛正式启动报名

发布日期:2021-09-15 13:58   来源:未知   阅读:

  碧玺当道彩宝定制热袭京城,新冠肺炎疫情爆发后,大众对消毒杀菌功能及产品的需求空前高涨。而在疫情防控常态化的大环境下,紫外杀菌消毒的关注度也持续攀升。紫外创业者也正在遭遇历史性的重大发展契机,其创新型的产品与技术也将为人类带来不可估量的社会效益。

  作为在国内率先布局紫外LED产业的先行者,山西省长治市更是充分集聚政府与社会资源,大力激发紫外LED创新创业活力。近日,由山西省科技厅、长治市人民政府、长治国家高新技术产业开发区、国家半导体照明工程研发及产业联盟联合主办,国家半导体照明工程研发及产业联盟紫外LED专业委员会、山西中科潞安半导体技术研究院有限公司、山西中科潞安紫外光电科技有限公司等联合承办“第一届紫外LED创新创业大赛”正式拉开帷幕。

  大赛平台现正式面向全国的紫外LED光电产业相关领域的创新创业项目开放参赛通道,光电材料、外延、器件、模块、以及装备、紫外LED在净化、消毒、照明、灭菌、检测等领域的下游应用创新创业者都可以通过大赛指定入口报名参赛。

  2020年8月,时任山西省委副书记、省长林武曾在第二届紫外LED国际会议暨LED产业发展论坛表示,半导体产业将成为山西省着力打造的战略性新兴产业,并加大该产业的人才引进、企业培育、资金投入、技术攻关和推广应用力度。而紫外LED及其应用,是半导体产业的重要发展方向,面临快速发展的窗口期。山西将加强省级层面统筹协调,加大政策支持力度,推动实施重大示范工程,不断完善产业服务体系,持续优化创新生态和营商环境,加快重大科技攻关及成果转化,建设具有鲜明特色和竞争优势的紫外LED研发基地、产业基地。

  为此,长治市目前已将紫外LED产业作为转型发展的重要支撑和发展引擎予以大力支持,而为了打造紫外LED产业的生态集聚效应,长治市还特别于2019年发布了《长治市第三代半导体紫外LED产业发展规划》,《规划》中明确指出,未来5年,将着力研发一批国际领先的科技成果,做大做强一批具有国际竞争力的创新型企业,聚集一批优秀创新人才,打造一批知名品牌,将长治建设成为立足山西、面向全国、放眼全球的半导体光电创新策源地、人才集聚地、技术辐射地,成为长治经济发展的重要“增长极”和产业转型升级的强大引擎。

  长治高新区围绕建设紫外半导体光电产业集群,以创新型特色园区建设为统领,以紫外LED产品为核心,构建起以政策为引导、企业为主体、市场为导向、产学研相结合的紫外LED产业“十个一”创新生态,通过完善政策体系、强化人才支撑、优化金融配置、建设创新机构、培育龙头企业、打造品牌效应等举措进一步增强产业竞争力,推进高质量发展。长治高新区紫外半导体光电创新型产业集群成功入选科技部火炬中心2021年度创新型产业集群试点。未来,力争将长治高新区打造成为全球最大的节能环保紫外LED产业集聚区。

  而在项目、人才、资金、产业资源等紫外LED生态要素建设完成后,长治市还将推出一系列的营商扶持政策,助推优质企业在长治稳经营、快发展。

  目前,中科潞安、华微紫外、深紫外智能等紫外LED产业链中的重点企业,均已集聚于长治高新区,长治市已具备了以中科潞安紫外芯片研发生产为核心,形成第三代半导体材料、外延芯片、装备制造、封装、应用全产业链紫外光电产业集群的先发优势。在本次大赛中,中科潞安作为承办单位,也将充分发挥产业龙头的作用,带头参与到对参赛的优质创业项目在原创性、独创性、引领性等方面进行升级,助力紫外LED创业项目升级,为加快建设长治紫外LED的生态闭环提供坚强有力的技术、研发、配套服务等方面的支撑。

  同时,长治市也专门针对紫外LED的企业发布了专项扶持政策,所有符合政策要求的参赛项目均可享受这些政策红利,其中包括但不限于对企业标准化厂房及配套、税收贡献奖励、关键设备支持、降低企业运营成本,基金支持等强大的资金支持。比如对紫外LED产业材料、衬底、外延、芯片、封装、应用等关键环节的新建或扩建项目给予设备投-资支持,对MOCVD设备投-资给予50%的支持;其他单台(套)设备投-资超过1000万元的给予30%支持。同时还设立总额不低于100亿元的长治紫外LED产业发展基金,首期募集金额将达10亿元,并通过市场化运作支持紫外LED优秀企业发展。而对固定资产投-资额在3亿元以上的重大项目,长治还将采用“一群一策”、“一企一策”、“一事一议”等方式给予创业者以专项政策支持等,下足力气为紫外LED产业的企业发展赋能。

  可以说,本次大赛,是长治集聚紫外LED企业、人才,建设紫外LED生态圈的重要抓手。通过赛事平台,将引聚一批高层次人才及团队来到长治,扎根长治,助力长治高质量打造紫外LED产业的创业新高地。大赛最终将通过初赛、复赛筛选出成功晋级的决赛项目,最终在长治进行线下决赛路演,届时将根据项目的现场路演表现,产生一等奖1名,二等奖2名,三等奖3名,并现场为获奖项目颁奖。活动也将依托长治紫外LED的生态优势,汇聚国内知名产业专家、创业导师、投-资机构等资源,为优秀的创业项目提供展示交流平台,加快项目的产业化推进。

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  AFBR-2408Z DC-50MBd微型链路光纤接收器,带SMA端口

  AFBR-2408Z光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。 接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2408Z接收器包含一个带集成光电二极管的IC,可将输入光信号转换为数字输出信号,无需额外电路。 由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。 可实现宽接收器动态范围和高温灵敏度。 数据速率从DC到最大50MBd AFBR-2408Z配备RSSI(接收信号强度指示)功能,可提供输入光信号的信号强度以便诊断功能。 功能 符合RoHS标准 与Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)发射器配合使用 数据传输at信号速率从DC到50 MB 接收器:集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC 多模玻璃光纤电缆距离最远2 km 工作温度范围-40°C至+ 85°C 3.3 V和5 V电源电压操作 RSSI输出 应用程序 从DC到50 MBd的光传输 工业控制和工厂自动化 高电压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变敏感度 电源变电站自动化...

  AFBR-2419Z 光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ 光纤发射器和多模玻璃光缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419Z接收器包含一个集成光电二极管的IC,可直接将输入光信号转换为数字输出信号,无需额外的外部电路。由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。 A 监视器(RSSI)输出,提供与平均入射光功率成比例的输出电流,可用.功能 符合RoHS标准 适用于Broadcom HFBR- 14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)发射器 信号速率从100 kBd到50 MBd的数据传输 接收器:集成PIN二极管和使用CMOS / TTL输出逻辑数字化IC 使用多模玻璃光纤电缆距离最远3 km 工作温度范围为-40°C至+ 85°C 兼容10Base-FL标准 3.3 V和5 V电源电压操作 RSSI输出 应用 100 kBd至50 MBd的光传输 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变敏感度 变电站自动化...

  AFBR-2419TZ 50MBd微型链路光纤接收器,带有螺纹ST端口

  AFBR-2419TZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419TZ接收器包含一个集成光电二极管的IC,可直接将输入的光信号转换为数字输出信号,而无需额外的外部电路。由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器(RSSI)输出,其输出电流与平均输入光功率成比例。 功能 符合RoHS标准 与Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)发射器配合使用 信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd 接收器:集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC 多模玻璃光纤电缆距离最远3 km 工作温度范围-40°C至+ 85°C 兼容10Base-FL标准 3.3 V和5 V电源电压操作 RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...

  AFBR-2419MZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419MZ接收器包含一个集成光电二极管的IC,可直接将输入的光信号转换为数字输出信号,而无需额外的外部电路。由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器(RSSI)输出,其输出电流与平均输入光功率成比例。 功能 符合RoHS标准 与Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)发射器配合使用 信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd 接收器:集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC 多模玻璃光纤电缆距离最远3 km 工作温度范围-40°C至+ 85°C 兼容10Base-FL标准 3.3 V和5 V电源电压操作 RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...

  AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

  Broadcom AFCD-P34CW是一款高性能850nm,4通道PIN探测器阵列,位于300微米厚的基板上。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达14.025 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 850nm中心波长的响应度 低电容 符合RoHs 应用程序 8/10/14 Gb / s数字通信链接 QSFP收发器

  Broadcom AFCD-P51GP是一款高性能850nm,单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有40微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能 850nm中心波长的高响应度 40μm光学窗口直径 低电容 SG联系人配置 符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...

  AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

  Broadcom AFCD-P54GM是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,光学窗口直径为40微米,宽度为150微米厚基板。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 对850nm中心波长的响应度 40μm光学窗口直径 低电容 大光圈 SG联系人配置 符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...

  AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

  Broadcom AFCD-P54GD是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。 阵列中的每个PIN都支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78125 Gb / s。 功能 高可靠性III-V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 对850nm中心波长的响应度 31μm光学窗口直径 低电容 大光圈 SG联系人配置 符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...

  AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

  Broadcom AFCD-P21KP是一款高性能850nm 10 Gb / s PIN探测器,具有150微米厚的基板。 此PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达10.3125 Gb / s。 功能 高带宽性能 ; 850nm中心波长的高响应度 低电容 低串联电阻 符合RoHs 应用程序 数字通信链路最高可达10.3125 Gb / s 小型可插拔收发器 小型设备有源光缆(AOC)

  SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

  SPD3025-4是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。 3焊盘G-S-G设计使用户能够灵活地进行跨阻放大器(TIA)的引线键合,并有助于减少相邻通道的串扰。...

  SPD2025是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管,可为高带宽,高性能光接收机设计提供高响应度,低暗电流和低电容。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模25Gb / s和28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能28Gb / s单通道跨阻放大器(TIA)相结合。

  Broadcom AFCD-P51GC是一款高性能850nm单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能 850nm中心波长的高响应度 31μm光学窗口直径 低电容 SG联系人配置 符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...

  SPD2012-4是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。

  SPD2012-12是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供12通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为QSFP28高速,多模,10x10Gb / s以太网,12x10Gb / s(120Gb / s),12倍和12.5Gb / s(150Gb / s)和12x14Gb / s(168Gb)的理想选择/ s)用于CXP收发器和有源光缆(AOC)。

  SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

  SPD2025-4X是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高电容性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。

  SPD2014-4是一款台面结构,基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。

  LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

  LPD3030-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。

  LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

  LPD3035-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x28Gb / s应用的理想选择,与当今高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。

  LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

  LPD3012-4-32是一款基于InGaAs的高性能PIN光电二极管阵列,提供4通道32um顶部照明检测窗口,带宽高达12GHz每个频道。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)结合使用手机报码开奖现场直播

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